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RT8207K 集成了一个同步 Buck 架构的 PWM 控制器、一个具有 1.5A 电流吐纳能力的追踪型线性稳压器和有缓冲的低噪声参考源,可为 DDR2/DDR3/LPDDR3/DDR4 内存系统提供完整的电源供应。PWM 控制器具有低电流消耗、高效率、卓越的瞬态回应和高输出精度等特性,可用于笔记本电脑将电池高压转换为低压为内存系统供电。该控制器采用固定导通时间的 PWM 控制架构,可以在极宽 VIN/VOUT 比的情况下工作,使用方便,面对负载瞬变时具有快达 100ns 的“实时”响应能力,同时保持基本固定的工作频率。由于省略了传统的电流模式 PWM 控制器中常见的电流检测电阻,RT8207K 在降低了成本的情况下,还能获得更高的效率。由于具有驱动大型同步整流 MOSFET 开关的能力,转换效率也得到了进一步提高,使得该转换器可以极高的效率直接从电池取电为系统供电。具有 1.5A 电流吐纳能力的低压差线性稳压器具有快速的瞬态响应能力,只需使用 20μF 的陶瓷输出电容即可保持稳定工作。它还可以使用外来的电源输入,因而可以最大化地降低总的功率损耗。RT8207K 支持所有的睡眠状态控制方法,可在 S3 期间将 VTT 置于高阻状态,在 S4/S5 期间对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电操作(软关机)。RT8207K 具有包括热关机在内的所有保护特性,其封装为 WQFN-20L 3x3。

应用

  • DDR1/2/3/低功耗DDR3/DDR4 内存电源
  • 笔记本电脑
  • SSTL18, SSTL15 和 HSTL 总线终端
主要规格
RT8207K
Status Active
Vs (typ) (V) 12
Vin (min) (V) 4.5
Vin (max) (V) 26
Vout (min) (V) 0.75
Vout (max) (V) 3.3
Freq (max) (kHz) 450
Iq (typ) (mA) 0.47
Features Adjustable Frequency;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;DDR Total Solution;Diode Emulation Mode;Enable Input;External Synchronization;Internal Compensation;OCP;OVP;PSM;Power Good;UVP;Voltage Mode Control
Package Type WQFN3x3-20
关键特性
  • PWM 控制器
    ► 下桥 RDS(ON) 检测方式的可调电流限制
    ► 100ns 快速瞬态响应能力
    ► 全输入、负载范围内 1% VVDDQ 电压精度
    ► 固定 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3) 或 0.75V~3.3V 可调输出范围,可供 1.35V (低功耗 DDR3) 和 1.2V (DDR4)应用
    ► 输入电压范围:4.5V~26V
    ► 工作频率由电阻调节
    ► 过压/欠压保护
    ► 内置软启动
    ► 可驱动大型同步整流 MOSFETs
    ► Power Good 指示
  • 1.5A LDO (VTT),带缓冲的参考源(VTTREF)
    ► 高达 1.5A 电流吐纳能力
    ► 外部 输入可选,优化功率损失
    ► 集成分压器使 VTT 和 VTTREF 追踪 1/2 VDDQ
    ► 支持 S3 的高阻状态和 S4/S5 的软关机操作
  • 符合 RoHS 规范,不含卤素
Datasheet
TitleLast UpdateDownload
DDRII/DDRIII/LPDDRIII/DDRIV 内存供电控制器2015/01/13
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